o-SiP orthorhombic Silicon phosphide
Eigenschaften: Kupferglänzende, rot durchscheinende Kristallplättchen. Luftstabil, stabil in konz. nicht oxidierenden Säuren. Schmelzpunkt ~ 1110-1130 °C
Orthorhombisches SiP (o-SiP) ist ein 2D-Schichtkristall und könnte einen bedeutenden Einfluss auf optoelektronische Technologien haben.
Differentialscanning-Kalorimetrie (DSC) und Thermogravimetrie
Analysekurven (TGA) zeigen, dass o-SiP auch bei hohen Temperaturen stabil ist.
bei einer Temperatur von 1045 °C. Dies ist sehr wichtig für das Gerät
Herstellung und praktische Anwendungen. Anders als Graphen, o-SiP
hat eine geeignete Bandlücke, die auf 1,7 eV festgelegt ist.
Bulk-o-SiP ist ein p-Typ-Halbleiter mit einer Ladungsträgerbeweglichkeit
von 2,034 × 103 cm2 V-1 s-1, das ist das Zehnfache von MoS2. Die
Photoreaktionseigenschaften von o-SiP wurden durch Anregung untersucht
mit einem 671-nm-Laser mit unterschiedlichen Leistungen von 20, 40 und 60,
80, 100 bzw. 120 mW. Seine geeignete Bandlücke
und eine ausreichend hohe Trägermobilität, zusammen mit einer eindeutigen Photoumschaltung
Verhalten und relativ schnelle Reaktion, ermöglichen es
dass o-SiP ein elektronisches und optoelektronisches 2D-System ist
Material.
