Gallium-Arsenid (GaAs)-Wafer
Zn-doped for semiconductor applications. Diameter: 50.8mm, Thickness 500?m (0,5mm) – One side optically polished one side fine ground. Comes with original wafer tray.
„Ytterbium Oxide ~99% – Yb2O3 – 100 grams“ wurde deinem Warenkorb hinzugefügt. Warenkorb anzeigen

Compounds, Ga, Andere
Gallium-Arsenide (GaAs) Wafer Si doped – 2” (50.8mm) Dia.
€ 59,90
Nicht vorrätig
Element | As, Ga |
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