Gallium-Arsenid (GaAs)-Wafer
Zn-doped for semiconductor applications. Diameter: 50.8mm, Thickness 500?m (0,5mm) – One side optically polished one side fine ground. Comes with original wafer tray.
„Terbium Oxide 99.99%/TREO – Tb4O7 – 5.0 grams“ wurde deinem Warenkorb hinzugefügt. Warenkorb anzeigen

Verbindungen, Ga, Andere
Gallium-Arsenid (GaAs)-Wafer Si-dotiert - 50,8 mm (2") Durchmesser.
€ 59,90
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Artikelnummer: 00333
Kategorien Verbindungen, Ga, Andere
Element | As, Ga |
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